對于當(dāng)下這波存儲芯片漲價周期，機構(gòu)暫未看到勢頭減弱的跡象，“傳統(tǒng)產(chǎn)品”的價格也迎來“翻身”。

近日，華爾街知名投行摩根士丹利（Morgan Stanley）發(fā)布研報指出，傳統(tǒng)存儲芯片的供需缺口正在持續(xù)擴大，從2025年第二季度至2026年，行業(yè)正在迎來新一波超級周期，DDR4、DDR3、NOR Flash及SLC/MLC NAND等內(nèi)存產(chǎn)品供應(yīng)緊張態(tài)勢加劇，市場暫無悲觀理由。

報告指出，由于先進制程存儲產(chǎn)品（如DDR5、HBM）產(chǎn)能需求強勁，成熟制程產(chǎn)能分配受到擠壓。2026年1月，頭部企業(yè)對DDR4芯片的采購表現(xiàn)積極，受供應(yīng)限制，其一季度價格漲幅可能達50%，漲勢將延續(xù)至二季度；而隨著產(chǎn)能向DDR4轉(zhuǎn)移，也將導(dǎo)致高密度DDR3芯片嚴(yán)重短缺，帶動相關(guān)供應(yīng)商業(yè)績增長。

閃存芯片方面，摩根士丹利預(yù)計NOR Flash的報價在2026年一季度上漲20%至30%，漲價趨勢或延續(xù)至2026年下半年；而隨著常規(guī)NAND Flash供應(yīng)大幅縮減，其細分類別MLC與SLC NAND一季度價格漲幅將超50%，采用先進制程工藝的高密度SLC NAND價格漲勢也將在同期跟進。

基于相似的理由，摩根大通分析團隊在最新報告中維持了對內(nèi)存巨頭SK海力士的“增持”評級，并將2026年12月的目標(biāo)價從此前的80萬韓元上調(diào)至100萬韓元。分析師指出，AI（人工智能）內(nèi)存需求的長期增長趨勢未變，再加上潛在的美股上市計劃，將成為推動SK海力士股價上漲的雙重催化劑；未來3至6個月內(nèi)，強勁的定價動能將推動公司的盈利預(yù)期上調(diào)，預(yù)計2026至2027財年的每股收益（EPS）將有20%至25%的向上修正空間。

此前，已有多家機構(gòu)預(yù)計，隨著AI數(shù)據(jù)中心的高端存儲產(chǎn)品需求持續(xù)擠壓市場，預(yù)計存儲芯片價格將在2026年繼續(xù)走高。

市場研究機構(gòu)Counterpoint在今年1月的報告中指出，內(nèi)存市場已經(jīng)進入“超級牛市”階段：“當(dāng)前的狀況超過了2018年的歷史高峰，供應(yīng)商的影響力達到歷史新高，這主要源于對AI和服務(wù)器容量的無盡需求。預(yù)計內(nèi)存價格在2025年第四季度激增40%至50%，還將在2026年第一季度上漲40%至50%，在第二季度上漲20%左右。”

Counterpoint認為，雖然相關(guān)廠商在增加資本投入，但產(chǎn)能增長存在顯著的時間延遲，導(dǎo)致嚴(yán)重的供需失衡。預(yù)計2026年DRAM存儲器產(chǎn)量將同比增長24%，不過，仍需要一段時間來滿足需求。

市場研究機構(gòu)IDC也在去年12月的報告中表示，2025年底，全球半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)經(jīng)歷了前所未有的內(nèi)存芯片短缺，這一連鎖反應(yīng)可能持續(xù)到2027年。IDC預(yù)計，2026年DRAM和NAND的供應(yīng)增長率將低于歷史平均水平，同比分別為16%和17%。

IDC的分析師團隊寫道：“這并非只是供需錯配引發(fā)的周期性短缺，而可能是全球硅晶圓產(chǎn)能一次潛在的、永久性的戰(zhàn)略再分配。數(shù)十年來，用于智能手機和個人電腦的DRAM與NAND閃存一直是存儲產(chǎn)能的主要驅(qū)動力。如今，這一動態(tài)已經(jīng)逆轉(zhuǎn)。微軟、谷歌、Meta和亞馬遜等超大規(guī)模服務(wù)商對HBM的貪婪需求，已迫使三大內(nèi)存制造商（三星電子、SK海力士和美光科技）將有限的凈室空間和資本支出轉(zhuǎn)向利潤率更高的企業(yè)級組件。這是一場零和博弈。”