中微公司  視覺中國 資料圖

9月4日晚，半導(dǎo)體設(shè)備龍頭企業(yè)中微公司（688012.SH）公告稱，近日推出六款半導(dǎo)體設(shè)備新產(chǎn)品，這些設(shè)備覆蓋等離子體刻蝕、原子層沉積及外延等關(guān)鍵工藝，包括兩款刻蝕設(shè)備和四款薄膜沉積設(shè)備。

在刻蝕設(shè)備方面，中微公司新一代極高深寬比等離子體刻蝕“利器”—— CCP電容性高能等離子體刻蝕機(jī)Primo UD-RIE ，基于成熟的Primo HD-RIE設(shè)計(jì)架構(gòu)并全面升級，配備六個(gè)單反應(yīng)臺反應(yīng)腔，通過更低頻率、更大功率的射頻偏壓電源，提供更高離子轟擊能量，可以滿足極高深寬比刻蝕的嚴(yán)苛要求，兼顧刻蝕精度與生產(chǎn)效率。

Primo Menova 12寸ICP單腔刻蝕設(shè)備專注于金屬刻蝕領(lǐng)域， 擅長金屬Al線、Al塊刻蝕，廣泛適用于功率半導(dǎo)體、存儲器件及先進(jìn)邏輯芯片制造，是晶圓廠金屬化工藝的核心設(shè)備。

在薄膜沉積設(shè)備方面，中微公司此次發(fā)布的四款新品， 包括三款原子層沉積產(chǎn)品以及一款外延產(chǎn)品。其中推出的12英寸原子層沉積產(chǎn)品Preforma Uniflash金屬柵系列， 涵蓋 Preforma Uniflash? TiN、 Preforma Uniflash? TiAl 及 Preforma Uniflash?TaN 三大產(chǎn)品，能夠滿足先進(jìn)邏輯與先進(jìn)存儲器件在金屬柵方面的應(yīng)用需求。

外延設(shè)備方面，中微公司推出的雙腔減壓外延設(shè)備PRIMIO Epita? RP，作為目前市場上獨(dú)有的雙腔設(shè)計(jì)外延減壓設(shè)備，其反應(yīng)腔體積為全球最小， 且可靈活配置多至6個(gè)反應(yīng)腔，在顯著降低生產(chǎn)成本與化學(xué)品消耗的同時(shí)， 實(shí)現(xiàn)了高生產(chǎn)效率。

中微公司表示，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迭代升級， 等離子體刻蝕、 原子層沉積及外延等技術(shù)的應(yīng)用需求持續(xù)攀升。近日推出六款半導(dǎo)體設(shè)備新產(chǎn)品， 覆蓋等離子體刻蝕、原子層沉積及外延等關(guān)鍵工藝，可進(jìn)一步滿足客戶需求，拓展公司產(chǎn)品布局，為加速向高端設(shè)備平臺化公司轉(zhuǎn)型注入新動(dòng)能，對公司未來半導(dǎo)體設(shè)備市場拓展和業(yè)績成長性預(yù)計(jì)都將產(chǎn)生積極的影響。

半年報(bào)顯示，中微公司主要從事高端半導(dǎo)體設(shè)備及泛半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。涉足半導(dǎo)體集成電路制造、先進(jìn)封裝、LED外延片生產(chǎn)、功率器件、MEMS制造以及其他微觀工藝的高端設(shè)備領(lǐng)域。等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用在國際一線客戶從65至5納米及其他先進(jìn)的集成電路加工制造生產(chǎn)線及先進(jìn)封裝生產(chǎn)線。MOCVD設(shè)備在行業(yè)領(lǐng)先客戶的生產(chǎn)線上大規(guī)模投入量產(chǎn)，公司已成為世界排名前列的氮化鎵基LED設(shè)備制造商。近兩年新開發(fā)的LPCVD薄膜設(shè)備和ALD薄膜設(shè)備，目前已有多款產(chǎn)品進(jìn)入市場并獲得大批量重復(fù)性訂單。

今年上半年，中微公司總營業(yè)收入49.61億元，同比增長43.88%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤7.06億元，同比增長36.62%。

9月4日收盤，中微公司報(bào)收195.40元，跌7.83%。